Gaassbn

含氮四元材料GaAsSbN太陽能電池

目前成長樣品

C2013

|P＋GaAsSb：N 100 nm，Be=896 ºC，~2e19/ cm3 |

|N GaAsSb：N 1000nm，Si=1180 ºC，~1e16/ cm3 |

|N＋GaAsSb：N 500 nm，Si=1180 ºC，>1e19/cm3 |

|N＋GaAs buffer 100nm，Si=1180 ºC，~1e19/cm3 |

|N＋GaAs substrate |

C2021

|P＋GaAsSb：N 100 nm，Be=896 ºC，~2e19/ cm3 |

|P GaAsSb：N 1000nm，Be=1180 ºC，~3.3e16/ cm3 |

|N＋GaAsSb：N 500 nm，Si=1180 ºC，>1e19/cm3 |

|N＋GaAs buffer 100nm，Si=1180 ºC，~1e19/cm3 |

|N＋GaAs substrate |

C2022

|N＋GaAsSb：N 100 nm，Si=1180 ºC，＞1e19/ cm3 |

|P GaAsSb：N 500nm，Be=806 ºC |

|P＋GaAsSb：N 100nm，Be=896 ºC， ~1e19/ cm3 |

|P＋GaAs buffer 100nm，Be=896 ºC， ~1e19/ cm3 |

|P＋GaAs substrate |

C2023

|N＋GaAsSb：N 100 nm，Si=1180 ºC，＞1e19/ cm3 |

|P GaAsSb：N 500nm，Be＝806 ºC |

|P＋GaAsSb：N 900nm，Be＝896＝＞806 ºC build in field |

|P＋GaAsSb：N 100nm，Be=896 ºC，~1e19/ cm3    |

|P＋GaAs buffer 100nm，Be=896 ºC，~1e19/ cm3 |

|P＋GaAs substrate |

C2050

|P＋GaAsSb：N 100 nm，Be＝896 ºC，~2e19/ cm3 |

|N GaAsSb：N 500nm，Si＝970 ºC，~2e16/ cm3 |

|N＋GaAsSb：N 900nm，Si＝1180＝＞970ºC，build in field |

|N＋GaAsSb：N 100 nm，Si＝1180 ºC，~1e19/ cm3 |

|N＋GaAs buffer 100nm，Si＝1180 ºC，~1e19/ cm3 |

|N＋GaAs substrate |

C2051

|P＋GaAs：N 100 nm，Be＝896 ºC，~2e19/ cm3 |

|N GaAsSb：N 500nm，Si＝970 ºC，~2e16/ cm3 |

|N＋GaAsSb：N 900nm，Si＝1180＝＞970ºC，build in field |

|N＋GaAsSb：N 100 nm，Si＝1180 ºC，~1e19/ cm3 |

|N＋GaAs buffer 100nm，Si＝1180 ºC，~1e19/ cm3 |

|N＋GaAs substrate |

結果與討論

第一部份（本質層雜質材料）...